AI算力高压革命 SiC GaN双向爆发

时间：2026年06月29日 10:30:33 中财网

　　中财网讯：数据显示，随着AI芯片功率密度持续攀升，数据中心供电系统正从传统低压架构向高压架构切换，能源转换效率要求大幅提高。调研显示，2026年将成为数据中心高压架构落地元年，800V/±400VDC系统将逐步渗透机房侧与机柜侧。

　　
　　一份研报观点认为，在高压架构推动下，第三代半导体SiC与GaN凭借优异物理特性，有望对传统硅基功率器件形成替代。研报指出，SiC适合机房侧(灰区)高压整流应用，而GaN则在机柜内(白区)高密度降压场景具备显著优势，形成“SiC向左、GaN向右”的清晰分工格局。研报认为，2030年单MW数据中心建设对应的SiC器件需求有望达到1.0万颗、价值22万美元，GaN器件需求2.1万颗、价值4.9万美元，整体市场空间极为广阔。

　　
　　研报认为，短期过渡架构对供给冲击有限，但随着刀片电源、集中整流及固态变压器等技术落地，长期需求增长确定性强。中国企业在SiC和GaN领域已完成深度布局，产业链竞争力持续提升，有望充分分享数据中心电源迭代红利。

　　
　　总结起来，研报侧重点是，三代半导体已成为AI时代数据中心高压供电的必然解决方案，相关环节公司长期增长期权价值值得重视。